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NTLJS2103P
TYPICAL PERFORMANCE CURVES (T J = 25 ° C unless otherwise noted)
1800
1600
1400
1200
1000
800
600
400
200
C iss
C oss
C rss
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
f = 1 MHz
5
4
3
2 Q GS
1
-V DS
Q GD
QT
-V GS
V DS = ? 9.6 V
I D = ? 5.9 A
T J = 25 ° C
12
10
8
6
4
2
0
0
2
4
6
8
10
12
0
0
2
4
6
8
10
12
14
0
? V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 7. Capacitance Variation
Q G , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate ? to ? Source and
Drain ? to ? Source Voltage vs. Total Charge
10000
V GS = ? 4.5 V
V DD = ? 8.0 V
I D = ? 5.9 A
t d(off)
t f
100
V GS = 0 V
100
t r
10
10
t d(on)
T J = 150 ° C
T J = 25 ° C
1
1
10
100
1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0.8
R G , GATE RESISTANCE (OHMS)
Figure 9. Resistive Switching Time
Variation versus Gate Resistance
60
? V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
I D = ? 250 m A
50
40
30
20
10
0
? 50
? 25
0
25
50
75
100
125
150
0
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 11. Threshold Voltage
http://onsemi.com
4
SINGLE PULSE TIME (s)
Figure 12. Single Pulse Maximum Power
Dissipation
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